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新锐晶科技公司
BASiC基本半导碳硅SiC率MOSFE,BASiC基本半导碳硅MOSFET模块,BASiC基本半导管IGBT,BASiC基本半导IGBT模块,BASiC基本半导三电平IGBT模块,BASiC基本半导I型三电平IGBT模块,BASiC基本半导T型三电平IGBT模块,BASiC基本半导混合SiC-IGBT管,BASiC基本半导混合SiC-IGBT模块,通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,通道隔离驱动芯片(带VCE保)BTD3011,BASiC基本半导混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器,双向AC-DC电源,户用光伏逆变器,户用光储一机,储能变流器,储能PCS,双向LLC电源模块,储能PCS-Buck-Boost电路,光储一机,PCS双向变流器,三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源域。

基本半导全碳硅MOSFET模块,Easy封装全碳硅MOSFET模块,62mm封装全碳硅MOSFET模块,Full SiC Module,SiC MOSFET模块适用于充电桩,V2G充电桩,高压柔直流输电智能电网(HVDC),空调热泵驱动,机车电源,储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机,超高频伺服驱动器,高速电机变频器等. 光伏逆变器用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳硅MOSFET模块,光储碳硅MOSFET。

基本半导第二代碳硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。适用大率电力电子装置的SiC MOSFET模块,半桥SiC MOSFET模块,ANPC三电平碳硅MOSFET模块,T型三电平模块,MPPT BOOST SiC MOSFET模块。
B2M030120Z国产替代英飞凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z国产替代英飞凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP,B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z国产替代英飞凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A

NPC(Neutral Point Clamped)三电平拓扑结构是一种应用为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展,NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个域,包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。NPC拓扑常用的有两种结构,是我们常说的“I”字型(也称NPC1)和“T”字型(也称NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一种NPC1的进型,这些年随着器件的发展,ANPC也开始有一些适合的应用。

在分时电价完、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下,业储能的经济明显提升。业储能是用户侧储能系统的主要类型之一,可以大提升光伏自发自用率,业业主的电费开支,助力企业节能排。
业储能装机有望在策鼓励、限电-激、电价革等因素-激下进入高速增长期,合增速有望持续飙升。 

基本半导混合IGBT管在业储能PCS变流器中的应用指南:

业储能PCS变流器:
1、主要率点位:35kW、50kW、70kW(35kW两模块并)、100kW(50kW模块两并)、125kW(62.5kW模块两并),率点位的选择主要取决于电池容量,都是标准值;
2、T型三电平是主流方案,出于竞争力考量,采用分立器件IGBT;T型三电平的开关频率,目前主要在16-20kHz之间
3、35kW机方案:TO-247封装管IGBT是现阶段主力,横管用650V 50AIGBT两并联,竖管用1200V 40A IGBT 3颗并联或者1200V 25A IGBT 4颗并联。
4、机率要跃迁到50kW和62.5kW,硅IGBT的并联个数太多,不符合客户的利益要求,率越往上走,客户有很的动力少IGBT管的数量,混合IGBT具有明显的应用--势,横管竖管都使用混合IGBT,可以大限度压低IGBT开通电阻,IGBT开关耗,大限度发挥混管的能。客户将IGBT的开通关断电阻分开,如果横管跟竖管同时选择混管,论上可以将开通电阻调到0Ω,大大IGBT的耗,这么一来,可以缩小混管跟全碳MSOFET在这种方案中的差距,大程度发挥混管的能。1200V碳硅MOSFET的方案现阶段评估成本还太高,无干过混管。混管在现有方案中具有较的发展潜力和生力。

横管混合IGBT选型:BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
竖管混合IGBT选型:BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1

基本半导混合碳硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳硅肖特基二管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾--和价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳硅肖特基二管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT(硅基IGBT与硅基恢二管合封),使IGBT的开关耗大幅,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等域。