BASiC基本半导650V/1200V Hybrid IGBT 管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二管的主要--点，具备出色的开关速度和低的开关耗，TO-247 4 引脚封装具有一个外的开尔文--连接。此 4 引脚也被称为开尔文--端子，绕过栅控制回路上的--引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并开关能量。主要规格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5国产替代，AIKW50N65RF5国产替代），BGH50N65HS1 (IKW50N65SS5国产替代),BGH50N65ZF1 （IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5国产替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5国产替代），BGH75N65HS1 (IKW75N65SS5国产替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5国产替代），BGH40N120HF（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7国产替代）,BGH75N120HS (IKQ75N120CH3国产替代，IKQ75N120CS6国产替代，)特别适用于 DC-DC 率变换器和PFC电路。其常见应用包括：户用光伏逆变器650V混合SiC IGBT管，户用光伏逆变器，组串光伏逆变器，户用储能逆变器，双向变流器，双向逆变器，车载充电机（OBC）、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电开关电源 (SMPS) ，基本半导混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾--和价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢二管合封），使IGBT的开关耗大幅，适用于车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等域。
高逆变器用 HERIC 电路和相关工艺可用于相逆变器，该拓扑是在H桥的桥臂两端加上两个反向的开关管进行续流，以达到续流阶段电网与光伏电池隔离的目的,尤其是在低率范围内（如屋顶光伏系统），其基于传统H4电路上在交流侧加入旁路能的第五、六开关。其有隔离了零电平时候交流滤波电感L与寄生电容C之间的无交换，提升系统率，且寄生电容上的电压高频分量，漏电流,通过利用BASiC基本半导SiC碳化硅率半导的开关耗低特，相HERIC电路中，用一器件BASiC基本半导650V混合SiC-IGBT管可以有高频管的耗，显著器件的工作结温，提升系统率,BASiC基本半导650V混合SiC-IGBT管继承了经典的TO247封装，客户可以在不变PCB和电路情况下，对老的产品进行直接替换，从而在短时间内达到系统率的提升和增加开关频率的目的。同时，由于器件带来系统耗少的--势，可以散热设计要求和成本；开关频率提升可以有并网电感的尺寸和大小，少电流谐波对电网的污染。HERIC电路设计的拓扑结构可以实现高达99％超高转化率，同时将EMI保持在较低的水平。除了具有高的能量输出的--点外，这种拓扑结构还了部件的热应力，因而散热器可以设计得小，使用寿却长。行业普遍认为到目前为止，这是户用光伏逆变器储能变流器PCS设备中好的设计。
BASiC基本半导混合IGBT Hybrid Discrete搭载了为高频开关--化的IGBT晶圆以及650VBASiC基本SiC二管，基本SiC二管小Qrr，有对管IGBT开通耗，且自身反向恢耗Erec也明显，IGBT开通耗随温度的影响很小，EMI，广泛应用于OBC车载充电器，光伏储能逆变器，充电桩电源模块，移动储能逆变器率因数校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。
BASiC基本半导碳化硅MOSFET B1M160120HC，B1M080120HC，B1M080120HK，B1M032120HC，B1M032120HK具备开关中的小栅电荷和器件电容、反并联二管无反向恢耗、与温度无关的低开关耗，以及无阈值通态特等。非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如LLC和ZVS，广泛应用于OBC车载充电器，光伏储能逆变器，充电桩电源模块等，可以像IGBT或MOSFET一样使用易于使用的驱动器进行驱动。由于能在高开关频率下带来高率，从而可以小系统尺寸、增大率度，并确保高可靠，延长使用寿。
光伏逆变器升压SiC碳化硅二管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H，B2D02120E1,光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三电平SiC-IGBT模块，IGBT管，混合IGBT管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC MOSFET，光伏逆变器SiC MOSFET，三电平IGBT模块，光储一机混合IGBT器件
BASiC基本半导第三代碳化硅肖特基二管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了高的电流度、小的元胞尺寸、低的正向导通压。BASiC基本半导第三代碳化硅肖特基二管继承了一代和二代产品的--点，采用JBS结构，--化了N-外延层的掺杂浓度，薄N+衬底层，使得二管具有低的正向导通压VF和结电荷QC，可以应用端的导通耗和开关耗。